充电倒灌保护
超级电容作为储能元件，在电容能量消耗殆尽时，需要及时进行对电容充电，防反灌保护电路用于防止超级电容电压高于电源电压，导致电流反灌流入电源，造成电源损坏，现有技术中大多采用串联二极管的方式进行反灌保护，但在大电流的情况下，由于二极管固有的管压降，将产生不小的损耗，比如管压降为0.5v的二极管流过10a电流时，产生的损耗为0.5v×10a＝5w。同时导致二极管较大的温升，若不能良好散热，极易引起二极管损坏。
现有技术中，存在利用p沟道mosfet实现电流反灌保护的方法，但相比于n沟道mosfet，p沟道mosfet有着较大的等效导通内阻，在大电流通过时，也将产生不小的功率损耗，所以为降低功率损耗，应使用n沟道mosfet实现电流反灌保护。
若使用n沟道mosfet，若和充电电源的正极串联，则需要驱动电源电压高于充电电源，现有技术中，存在将mosfet和充电电源的负极串联的方法，该方法驱动电压只满足大于n沟道mosfet的导通电压即可，但这样将导致充电电源的负极和超级电容的负极没有直接连接，将造成一定程度的emi影响。
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